Мы продемонстрировали возможность формирования системы хорошо ориентированных доменных стенок в кристаллах ЦТС, претерпевающих последовательность фазовых переходов из параэлектрической в сегнетоэлектрическую, а затем и в антисегнетоэлектрическую фазы. Переход в антисегнетоэлектрическую фазу ранее был обнаружен нами при анализе карт диффузного рассеяния рентгеновского излучения.
Новые данные, полученные в результате совместной работы с нашими японскими коллегами, показали, что воздействие электрического поля на динамику решетки и формирование доменной структуры образца проявляется уже в сегнетоэлектрической фазе: приложение относительно слабого электрического поля 5кВ/см приводит к изменению вида спектра неупругого рассеяния синхротронного излучения.
Таким образом, совокупность результатов ранее проведенных нами исследований диффузного рассеяния синхротронного излучения и полученных в этом эксперименте данных после из обработки позволит нам значительно глубже понять принципы управления доменной конфигурацией слабыми электрическими полями.
По результатам проведенных исследований начата подготовка совместной публикации.