16.04.01«Техническая физика»
16.04.01_01 «Физика и техника полупроводников»
Русский
Специалисты в области полупроводниковой фотоники и наноэлектроники занимаются исследованием, моделированием, разработкой, производством и эксплуатацией полупроводниковых структур и приборов оптоэлектроники, микро- и наноэлектроники. Выпускники владеют методами экспериментального и теоретического исследования физических процессов, протекающих в этих структурах и приборах. Особое внимание уделяется терагерцовым и инфракрасным лазерам, детекторам, модуляторам излучения на основе полупроводниковых наноструктур с квантовыми ямами и квантовыми точками.
Ключевые особенности:
- Фундаментальная физико-математическая подготовка
- Научно-исследовательская и производственная практика студентов в ведущих академических институтах и промышленных компаниях
- Возможность получить двойной диплом, стипендии и стажировки в зарубежных университетах,
- Гранты для научных исследований, повышенные стипендии по результатам личных научных достижений
- Современное исследовательское и технологическое оборудование
- Передовые разработки отечественной и мировой наноэлектроники
Варианты обучения:
Очное
бюджет, контракт
- Полупроводниковые лазеры
- Квантовая теория твердого тела
- Оптические явления в наноструктурах
- Квантоворазмерные системы наноэлектроники
- Оптико-электронные системы
- Теория квантовых генераторов света
- Технология квантоворазмерных структур
- Физика и техника приборов наноэлектроники
- Широкозонные полупроводники
- инженер-физик
- инженер-электроник
- инженер-исследователь
- научный работник
- инженер-технолог по производству изделий оптоэлектроники
- руководитель проектов, главный конструктор
- Оптические свойства наноструктур AlGaN/GaN/SiC в терагерцовом диапазоне частот
- Влияние дополнительного отжига на электрофизические свойства CVD графена
- Электрофизические свойства гетеростуктур с квантовыми ямами, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии
- Солнечно-слепые фотодетекторы на основе твердых растворов AlGaN
- Фотоэлектрический сенсор водорода на основе диода Шоттки
- Анализ перехода в режим генерации микродисковых лазеров с InP/GaInP квантовыми точками
- Оптические исследования двумерных электронов и плазмонов в структурах на основе нитрида галлия
- Динамика заселенности состояний квантовых точек Ge/Si неравновесными дырками
- Люминесценция и концентрация носителей заряда в узкозонных квантовых ямах InGaAsSb/AlGaAsSb при оптическом возбуждении
- Создание упорядоченных массивов металлических наноструктур для исследования генерации второй гармоники
- Исследование воздействия γ-облучения на оптические и электрические свойства нанокомпозитов на основе проводящего полимера MEH-PPV
- Влияние продольного электрического поля на межподзонное поглощение и двулучепреломление в двойных квантовых ямах GaAs/AlGaAs
Винниченко Максим Яковлевич
Руководитель программы
Паневин Вадим Юрьевич
Менеджер программы
Фирсов Дмитрий Анатольевич
Научный руководитель программы