21 Февраля 2025 г. Нечетная неделя

16.03.01«Техническая физика»

16.03.01_11 «Полупроводниковая фотоника и наноэлектроника»

Русский

Исследования в области полупроводниковой фотоники и наноэлектроники дают ключ к инновационному решению проблем современной физики, посвященных созданию новых приборов электроники XXI века. Спектроскопия, космические исследования, мониторинг атмосферы, системы безопасности, неинвазивная диагностика и терапия в биологии и медицине – в современном высокотехнологичном цифровом мире области применения полупроводниковых приборов не имеют границ. Наши выпускники занимаются исследованиями, моделированием, разработкой, производством и эксплуатацией полупроводниковых структур и приборов оптоэлектроники, микро- и наноэлектроники, владеют методами экспериментального и теоретического исследования физических процессов, протекающих в этих структурах и приборах.

Особое внимание в программе уделяется современным терагерцовым и инфракрасным лазерам, детекторам, модуляторам излучения на основе полупроводниковых наноструктур с квантовыми ямами и квантовыми точками. Излучение терагерцового диапазона расположено между "оптическими" и "радиочастотными" длинами волн и не оказывает вредного влияния на организм человека. Создание эффективных источников терагерцового излучения - это актуальная и важная задача, поскольку ни "оптический", ни "радиочастотный" подходы к генерации излучения не могут быть здесь использованы в полной мере. Одна из целей программы – подготовка высокопрофессиональных специалистов мирового уровня, способных ответить на вызовы современного научно-технологического развития, готовых к созданию и работе с новыми приборами терагерцовой фотоники, которых сейчас не хватает в различных областях науки и техники (физика, химия, биология, медицина, телекоммуникации и связь).

Ключевые особенности:

· Фундаментальная физико-математическая подготовка

· Научно-исследовательская и производственная практика студентов в ведущих академических институтах и промышленных компаниях

· Участие в грантах для научных исследований, повышенные стипендии по результатам личных научных достижений

· Возможность получить дополнительные стипендии и стажировки в зарубежных университетах

· Современное исследовательское и технологическое оборудование

· Передовые разработки отечественной и мировой наноэлектроники

Варианты обучения:

Очное

бюджет, контракт

  • инженер-физик
  • инженер-электроник
  • инженер-исследователь
  • инженер-технолог по производству изделий микроэлектроники
  • научный работник
  • Исследование характеристик квантово-каскадных лазеров в инфракрасном диапазоне
  • Терагерцовая электролюминесценция в гетероструктурах GaN/AlGaN
  • Исследование порфириновых структур с помощью сканирующего туннельного микроскопа
  • Оптическое возбуждение поверхностных магнитостатических волн в тонких пленках галфенола
  • Фотопроводимость в гетероструктуре с квантовыми ямами p-GaAs/AlGaAs
  • Электронный транспорт в нормальной фазе в сверхпроводниках на основе железа
  • Исследование доноров азота в кристаллах карбида кремния методом высокочастотного электронного парамагнитного резонанса
  • Терагерцовая экситонная фотолюминесценция в кремнии
  • Газовый сенсор для анализа выдыхаемого воздуха и диагностики онкологических заболеваний легких, созданный на основе полупроводниковой структуры
  • Температурные сенсоры на базе многослойных тонкопленочных наноструктур
  • Исследование электрических свойств тонких фуллереновых пленок методом импедансометрии
  • Магнитодиэлектрический эффект в фторидах и оксидах кобальта
  • Определение влияния диссипативных факторов на основные параметры микромеханических гироскопов
  • Исследование эффектов намагничивания методом электронного спинового резонанса в Si:Р, компенсированном радиационными дефектами
  • Оптические явления в III-N наноструктурах в терагерцовом спектральном диапазоне
  • Терагерцовая люминесценция в легированных квантовых ямах GaAs/AlGaAs при оптической межзонной накачке
  • Взаимодействие терагерцового излучения с поверхностными плазмон-поляритонами в микроструктурах на основе GaAs
  • Оптические явления в квантовых ямах с локализованными и резонансными состояниями акцепторов
  • Увлечение света током электронов в квантовых ямах
  • Исследование электрических характеристик пленок фуллеренов С60 в сильных электрических полях
  • Влияние гамма-излучения на тонкие нанокомпозитные пленки
  • Оптика неравновесных носителей
  • Физика высокотемпературных сверхпроводников
  • Туннельная спектроскопия и сканирующая туннельная микроскопия
  • Фоточувствительные пленки и структуры
  • Органические нанокомпозитные материалы на основе фуллеренов
  • Коллоидные нанокристаллы (квантовые точки)
    • Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН

      Физико-технический институт имени А.Ф.Иоффе,раположенный напротив Политехнического университета, является одним из крупнейших научных центров России, в котором широким фронтом ведутся как фундаментальные, так и прикладные исследования в важнейших областях современной физики и технологии. ФТИ основан по инициативе группы сотрудников Политехническиого института в 1918 и с тех пор является ближайшим партнером Политеха.

    • АО "Светлана-Электронприбор"

      АО «Светлана-Электронприбор» основано в 1993 году — дочернее предприятие ПАО «Светлана» — входит в число основных предприятий электронной промышленности, обеспечивающих разработку и серийное производство радиоэлектронных приборов и устройств. На предприятии используются практически все современные технологические процессы изготовления вакуумных и полупроводниковых приборов.

    • АО "Авангард"

      Акционерное общество "Авангард" - крупнейшее научно-производственное объединение России, датой основания которого можно считать 20 октября 1948 года. Изначально предприятие было образовано как научно-исследовательский технологический институт - НИТИ-18. На институт были возложены задачи создания прогрессивных технологических процессов и технологического оснащения серийного производства, а также разработки передовых методов конструирования радиоэлектронной аппаратуры.

    • НИИ «Гириконд»

      Научно-исследовательский институт "Гириконд", был основан в 1939 году. Предприятие прошло целый ряд этапов в своем развитии, всегда оставаясь одним из головных предприятий электронной промышленности. Наряду с конденсаторостроением в институте получил развитие целый ряд важнейших направлений в области пассивных компонентов, в первую очередь, таких как нелинейные полупроводниковые резисторы, помехоподавляющие фильтры, прецизионные непроволочные потенциометры, фотоэлектрические и оптоэлектронные приборы, специальные материалы   и т.д.

    • ЗАО «Светлана-Рост»

      АО "Светлана–Рост" является единственным в России предприятием полупроводниковой промышленности полного цикла – от производства полупроводниковых многослойных эпитаксиальных структур и наногетероструктур до производства пластин с кристаллами заказанных элементов в области твердотельной СВЧ и фотоприемной элементной базы.

    • ОАО «РНИИ «Электронстандарт»

      В АО "РНИИ "Электронстандарт" реализуются инвестиционные проекты Минпромторга России "Техническое перевооружение базового центра испытаний и сертификация ЭКБ, в том числе иностранного производства, для обеспечения надежности РЭА приоритетных комплексов и систем ВВСТ" и "Реконструкция и техническое перевооружение испытательного центра для обеспечения комплекса работ по корпусированию и испытаниям сложнофункциональных интегральных схем"
      Проводится большой комплекс научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ в интересах и в тесном контакте с Минпромторгом России, Космическим агентством.

    • ЗАО «Светлана-оптоэлектроника»

      ЗАО «Светлана-Оптоэлектроника» — один из крупнейших в Восточной Европе и СНГ производитель светодиодов, осветительных устройств на их основе, приборов пожарной сигнализации. «Светлана-Оптоэлектроника» объединяет предприятия, которые осуществляют полный технологический цикл разработки и производства светодиодных систем освещения: от эпитаксиального выращивания полупроводниковых гетероструктур до сложных автоматизированных систем интеллектуального управления освещением. Компанией разработан широкий спектр энергоэффективных решений, позволяющий реализовывать масштабные проекты по внедрению светодиодного освещения.

    • ЗАО «Полупроводниковые Приборы»

      АО "Полупроводниковые приборы" - российская инновационная компания в области высоких технологий. Наша компания является лидером в разработке и производстве мощных лазерных диодов в России. Миссия нашей компании состоит в создании источников лазерного излучения улучшающих качество жизни людей. 

    • ООО «Тидекс»

      Тидекс — частная компания, основанная учеными-физиками в 1994 году в Санкт-Петербурге. Мы производим оптические компоненты и приборы для науки и промышленности: спектроскопии, пирометрии и термографии, терагерцовой фотоники, сенсоров и детекторов, метрологии, лазеров...

    • ОАО «Завод «Реконд»

      В настоящее время ОАО «Завод «Реконд» является ведущим Российским предприятием и выпускает для нужд радиоэлектронной отрасли керамические конденсаторы постоянной и переменной емкости, конденсаторы постоянной емкости, объемнопористые и оксидно-полупроводниковые, а также конденсаторы постоянной емкости пленочные, металлопленочные и болометры, фотоприемные устройства, металлизированные фотошаблоны и гибридные интегральные микросхемы.

    • Группа компаний Semiteq

      Закрытое акционерное общество «Научное и технологическое оборудование» (ЗАО «НТО») под маркой SemiTEq® разрабатывает и произ­водит широкий спектр вакуумного оборудования, которое отвечает всем современным требованиям полупроводнико­вой технологии. Ключевой компетенцией Компании являет­ся разработка и производство систем молекулярно­-лучевой эпитаксии (МЛЭ) для полупроводниковых материалов А3N, А3В5 и широкозонных материалов А2В6, а также оборудова­ния для проведения основных операций планарного цикла. Узлы установок имеют запатентованный дизайн или включают активное технологическое ноу-­хау. Комплекс оборудо­вания SemiTEq® обеспечивает создание структур высокого качества в рамках проведения разработок и производства современной электронной компонентной базы.

    Винниченко Максим Яковлевич

    Руководитель программы

    Паневин Вадим Юрьевич

    Менеджер программы