Русский В рамках освоения программы аспирантуры выпускники могут решать широкий спектр профессиональных задач в области полупроводниковой фотоники и наноэлектроники, заниматься исследованием, моделированием, разработкой, производством и эксплуатацией полупроводниковых структур и приборов оптоэлектроники, микро- и наноэлектроники. Выпускники владеют методами экспериментального и теоретического исследования физических процессов, протекающих в этих структурах и приборах. Особое внимание уделяется терагерцовым и инфракрасным лазерам, детекторам, модуляторам излучения на основе полупроводниковых наноструктур с квантовыми ямами и квантовыми точками.
Ключевые особенности:
Фундаментальная физико-математическая подготовка в том числе и в областях, связанных с современными и перспективными наноматериалами, с разработкой приборов и устройств нового поколения, в рабочих элементах которых используются нано- и другие функциональные материалы.
Использование современных баз научных статей (РИНЦ, Scopus, IEEE Xplore).
Использование современного оборудования (решеточный инфракрасный спектрометр Horiba Jobin Yvon, импульсный YAG: Nd лазер, вакуумный широкополосный фурье-спектрометр Bruker Vertex 80v на диапазон 0,5−1000 мкм
По результатам исследований — написание статей, входящих в базы Scopus, IEEE Xplore, ВАК и Белый список, участие во всероссийских и международных конференциях.
- Кинетические явления в полупроводниках
- Приборные применения наноструктур
- Современные аспекты полупроводникового материаловедения
- Физика полупроводников
- Исследователь
- Преподаватель-исследователь
- Поглощение и преломление излучения в полупроводниковых наноструктурах при межподзонных переходах носителей заряда
- Взаимодействие инфракрасного излучения с донорными и акцепторными центрами в полупроводниковых размерно-квантованных структурах
- Поглощение и эмиссия инфракрасного излучения в квантовых точках GeSi и нитевидных нанокристаллах на основе InAs
- Спектроскопия материалов и структур для терагерцовой фотоники
- Оптические явления в III-N наноструктурах в терагерцовом спектральном диапазоне
- Терагерцовая люминесценция в легированных квантовых ямах GaAs/AlGaAs при оптической межзонной накачке
- Взаимодействие терагерцового излучения с поверхностными плазмон-поляритонами в микроструктурах на основе GaAs
- Увлечение света током электронов в квантовых ямах
- Взаимодействие излучения терагерцового диапазона с легированными нано- и микроструктурами
- Оптические явления в квантовых ямах с локализованными и резонансными состояниями акцепторов
- Оптика неравновесных носителей
- Физика неравновесных сверхпроводников
- Туннельная спектроскопия и сканирующая туннельная микроскопия
- Фоточувствительные пленки и структуры
- Органические нанокомпозитные материалы на основе фуллеренов
- Коллоидные нанокристаллы (квантовые точки)